斥資近1000億日元三菱電機將建8英寸SiC晶圓廠

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本報訊 近日，三菱電機宣布，將在截至2026年3月的5年內(nèi)將之前宣布的投資計劃翻一番，達到約2600億日元（約合133億元人民幣），主要用于建設(shè)新的晶圓廠，以增加碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)量。據(jù)悉，三菱電機2026年度SiC晶圓產(chǎn)能預(yù)計將擴增至2022年度的約5倍水平。

根據(jù)該計劃，三菱電機預(yù)計將應(yīng)對電動汽車對SiC功率半導(dǎo)體快速增長的需求，并擴大新應(yīng)用市場。

據(jù)透露，新增投資的主要部分約1000億日元，將用于建設(shè)新的8英寸SiC晶圓廠并加強相關(guān)生產(chǎn)設(shè)施。新工廠落址日本熊本縣，將生產(chǎn)大直徑8英寸SiC晶圓，引入具有最先進能源效率和高水平自動化生產(chǎn)效率的潔凈室。據(jù)悉，新廠房將于2026年4月投產(chǎn)。

此外，三菱電機還將加強其位于該縣合志市工廠的6英寸SiC晶圓的生產(chǎn)設(shè)施，擴增產(chǎn)能以滿足該領(lǐng)域不斷增長的需求。

半導(dǎo)體制造工程可大致分為在硅晶圓上形成電路的“前端制程”和進行組裝、封測等的“后端制程”，三菱電機上述位于熊本縣的2座工廠均專注于“前端制程”。在“后端制程”部分，三菱電機計劃投資約100億日元在Power Device Manufacturer（位于福岡市）內(nèi)興建新廠房。該工廠將整合目前分散在福岡地區(qū)的現(xiàn)有業(yè)務(wù)，用于功率半導(dǎo)體的組裝和檢查。集設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)技術(shù)驗證于一體，將大大提升公司的開發(fā)能力，便于及時量產(chǎn)以響應(yīng)市場需求。

多年來，三菱電機在家電、工業(yè)設(shè)備和軌道車輛等領(lǐng)域引領(lǐng)SiC功率模塊市場，包括全球首款空調(diào)和高鐵SiC功率模塊。（凌 文）

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