6月28日，據(jù)韓國日報(bào)消息，三星將在6月30日宣布量產(chǎn)3nm工藝，此舉也意味著三星在新一代工藝節(jié)點(diǎn)上彎道超車臺積電，后者預(yù)計(jì)今年下半年才會(huì)

6月28日，據(jù)韓國日報(bào)消息，三星將在6月30日宣布量產(chǎn)3nm工藝，此舉也意味著三星在新一代工藝節(jié)點(diǎn)上彎道超車臺積電，后者預(yù)計(jì)今年下半年才會(huì)量產(chǎn)3nm工藝。

3nm工藝的具體詳情還沒公布，但是之前導(dǎo)致三星被質(zhì)疑的良率問題應(yīng)該已經(jīng)解決，韓國分析師、HMC投資證券公司研究中心主管Greg Roh日前透露稱，三星的3nm工藝良率提升速度遠(yuǎn)高于市場預(yù)期、新增客戶速度相當(dāng)快。

根據(jù)他的數(shù)據(jù)，三星晶圓代工業(yè)務(wù)將成長40%左右、高于業(yè)界整體25%的增幅水平。

按照三星去年公布的信息，3nm節(jié)點(diǎn)也分為3GAE及3GAP，前者主要是三星自己用，后者首次使用GAA晶體管，面向外部代工客戶。

根據(jù)三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺積電3nm FinFET工藝。

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