5 月 16 日消息,據(jù) TechPowerUp 消息,西部數(shù)據(jù)與鎧俠合作,將在今年量產(chǎn)第六代 BiCS NAND,該產(chǎn)品采用了 162 層 NAND 閃存堆疊技術(shù)。據(jù)介紹,
5 月 16 日消息,據(jù) TechPowerUp 消息,西部數(shù)據(jù)與鎧俠合作,將在今年量產(chǎn)第六代 BiCS NAND,該產(chǎn)品采用了 162 層 NAND 閃存堆疊技術(shù)。
據(jù)介紹,西部數(shù)據(jù)與鎧俠的 162 層 NAND 閃存將達到競爭對手 176 層的容量,而且芯片尺寸更小,單晶圓可達 100TB,比上一代的單晶圓 70TB 大幅增加。
西部數(shù)據(jù)與鎧俠還公布了未來的路線圖,2024 年的 BiCS+ 的層數(shù)超過 200 層,如果一切按計劃進行,2032 年應(yīng)該會看到 500 層 NAND 閃存。
IT之家曾報道,2020 年,西部數(shù)據(jù)公司和鎧俠公司發(fā)布了第五代 BiCS 3D NAND,BiCS5 的設(shè)計使用了 112 層設(shè)計,密度相比上代增加了 40%。接口速度提高了 50%,達到 1.2GT / s。第六代 BiCS NAND 的參數(shù)信息預(yù)計會在今年晚些時候量產(chǎn)時公布。
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