不得不說，作為國(guó)產(chǎn)3D閃存中的佼佼者，長(zhǎng)存3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)32層到64層再到128層的跨越，追上日韓美廠商的先進(jìn)水平，令人矚目。長(zhǎng)存在3D TLC QLC閃存上的進(jìn)軍，也將為全行業(yè)深入普及SSD做出貢獻(xiàn)，

今日(4月13日)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布，其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功，并已在多家主控廠商SSD等終端產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。

按照長(zhǎng)存的說法，這款產(chǎn)品的獨(dú)特之處在于，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND，且擁有已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

值得一提的是，此次同步登場(chǎng)的還有128層TLC閃存(X2-9060)，單顆容量512Gb(64GB)。

性能方面，長(zhǎng)存透露，兩款產(chǎn)品擁有1.6Gbps的I/O讀寫性能，3D QLC單顆容量高達(dá)1.33Tb，是上一代64層的5.33倍。

據(jù)悉，兩款產(chǎn)品均采用長(zhǎng)存自研Xtacking 2.0架構(gòu)，外圍電路和存儲(chǔ)單元可堆疊，帶來極佳的擴(kuò)展性。

不得不說，作為國(guó)產(chǎn)3D閃存中的佼佼者，長(zhǎng)存3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)32層到64層再到128層的跨越，追上日韓美廠商的先進(jìn)水平，令人矚目。

長(zhǎng)存在3D TLC/QLC閃存上的進(jìn)軍，也將為全行業(yè)深入普及SSD做出貢獻(xiàn)，我們可以期待相關(guān)終端產(chǎn)品盡快上市和應(yīng)用。

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