紫光旗下的長江存儲今天宣布，在北京舉行的2020中國IC風(fēng)云榜上，長江存儲公司獲得了備受矚目的年度技術(shù)突破獎，長江存儲執(zhí)行董事，紫光集團

紫光旗下的長江存儲今天宣布，在北京舉行的“2020中國IC風(fēng)云榜”上，長江存儲公司獲得了備受矚目的年度技術(shù)突破獎，長江存儲執(zhí)行董事，紫光集團聯(lián)席總裁刁石京代表公司領(lǐng)獎。

作為紫光集團芯片板塊核心企業(yè)，長江存儲通過閃存基礎(chǔ)架構(gòu)和制造工藝的創(chuàng)新，成功打造了世界首款基于Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存。此款產(chǎn)品自2019年9月量產(chǎn)以來，已經(jīng)通過多項行業(yè)認證，并進入主流客戶供應(yīng)鏈，得到了市場的認可。

根據(jù)長江存儲之前的消息，2019年9月份該公司量產(chǎn)國內(nèi)首個64層堆棧的3D閃存，采用了自研Xtacking架構(gòu)，核心容量256Gb。

長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲密度。

Xtacking可實現(xiàn)在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利于選擇更先進的制造工藝。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。

相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標值是1.4Gbps，而大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術(shù)我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。

自2016年成立以來，長江存儲作為集3D NAND閃存設(shè)計制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，一直著力提供完整的存儲器解決方案，為全球合作伙伴供應(yīng)3D NAND閃存晶圓及顆粒、嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案。（憲瑞）

關(guān)鍵詞： 長江存儲 年度技術(shù)突破獎